| 适用于透射电镜表征的双温区密封腔芯片及其制作方法 |
| CN202110011404.0 2021-1-6 发明申请 |
| 2021-5-25 |
| 本发明公开一种适用于透射电镜表征的双温区密封腔芯片及其制作方法，包含基板芯片与顶板芯片，基板芯片包括：硅片基底，沉积在基底上下表面的介质层，沉积在上表面介质层上的接触电极、加热电极和隔离层，刻蚀在加热电极间介质层上的观察窗口，基底下表面镂空区覆盖观察窗口；顶板芯片包括：硅片基底，沉积在基底上下表面的介质层，沉积在上表面介质层上方的接触电极、加热电极和隔离层，刻蚀在加热电极间介质层上的观察窗口，基底下表面镂空区覆盖观察窗口。将用于观察的样品根据需求置于顶板芯片的加热电极区和基板的加热电极区。将顶板和基板以隔离层图案对准接触，使用粘合剂粘连合一，装入匹配的透射电镜样品杆中即可使用。 |
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