硅基靶板及其生产方法和应用
 
CN202111189007.9  2021-10-12  发明申请

2023-4-14
 
  本发明公开了一种硅基靶板的生产方法,包括如下步骤:步骤一:在硅片表面镀疏水层;步骤二:利用激光雕刻在硅片镀有疏水层的正面上雕刻样品点,且样品点的雕刻深度大于等于疏水层的厚度。本发明还提出了一种硅基靶板以及硅基靶板在质谱检测中的应用。在进行质谱检测时,硅基靶板作为样品与基质共结晶的载体,硅基靶板上的亲疏水处理能够有效束缚样品(蛋白提取液和基质溶液),并使得它们共结晶更均匀;靶板上样品在激光作用下发生离子化,再经过高压电场加速,进入无场区,最终达到检测器,从而能够满足质谱检测的要求。另外,本发明的硅基靶板的生产方法还具有工艺流程简单,便于实现工业化生产的优点。
 
仿站