残余气体分析器和具有残余气体分析器的EUV光刻系统
 
WOEP21069591  2021-7-14  发明申请

2022-1-27
 
  本发明涉及一种用于分析残余气体(30)的残余气体分析器(40), 特别是EUV光刻系统(1)中的残余气体(30), 包括:供给系统(41),用于将残余气体(30)从真空环境(27a)供给到残余气体分析器(40)中;以及质量分析器(43),包括用于检测残余气体(30)的离子化成分(30a)的检测器(44)。 残留气体分析装置(40)具备:离子输送装置(42),其将残留气体(30)的离子化成分(30a)输送到质量分析装置(43); 离子输送装置(42)具有离子过滤装置(45),该离子过滤装置设计成过滤残余气体(30)的至少一种离子成分(30a)。 本发明还涉及一种EUV光刻系统,特别是EUV光刻设备,包括:至少一个如上所述设计的残余气体分析器(40),用于分析EUV光刻系统(1)的真空环境(27a)中的残余气体(30)。
 
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