| 一种稳定同位素质谱仪离子源 |
| CN202211409282.1 2022-11-11 发明申请 |
| 2023-1-20 |
| 本发明属于质谱仪技术领域,特别涉及一种稳定同位素质谱仪离子源。其技术方案为:一种稳定同位素质谱仪离子源,包括固定底座,固定底座一侧连接有高压电极,固定底座另一侧设置有若干支撑柱,支撑柱的另一侧连接有限位座,支撑柱之间依次安装有用于轰击样品的电离室、用于校正离子束的校正单元和调整离子束宽度的狭缝单元,限位座上连接有用于调节离子束速度的加速单元,固定底座连接有腔体,腔体套设于若干支撑柱外,腔体上连接有用于向电离室输入样品的进样阀门,电离室、校正单元、狭缝单元和加速单元均与高压电极通过高压导线连接。本发明提供了一种方便调节离子束宽度和能量的稳定同位素质谱仪离子源。 |