| 一种用于动态二次离子质谱仪的样品的制备方法及其制得的样品 |
| CN202010055783.9 2020-1-17 发明申请 |
| 2020-6-9 |
| 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于动态二次离子质谱仪的样品的制备方法及其制得的样品，该方法包括以下步骤：将边长或直径小于等于2mm的样品的待测面朝下放置在平整的载体上，所述载体的熔点高于250℃；在样品的两侧放置固定片，固定片的一面与载体的上表面贴合，固定片具有导电性且熔点高于250℃；沿固定片和样品的外围放置阻挡物，阻挡物的底面与载体的上表面贴合；在阻挡物内的载体上加入液体镶埋材料，至镶埋材料凝固；取出得到两侧连接有固定片的样品。本发明提供了DSIMS测试小样品的一种可行方案，制备的样品提高DSIMS测试腔的真空值，降低测试元素的检测极限。 |
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