| 层叠体，柔性电子器件和层叠体的制造方法 |
| EP19876264 2019-10-18 检索报告 |
| 2022-8-3 |
| 本公开涉及一种层叠体，其至少包括含有至少柔性基材的基材层和无机薄膜层，其中IO2/ISi的分布曲线在深度B与深度D之间的区域BD中具有至少一个最大值(IO2/ISi)maxBD，其中Si-、C-和O2-的离子强度分别表示为Isi、Ic、 和IO2，在使用飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)从所述层叠体的无机薄膜层侧的表面沿厚度方向测定的深度轮廓中，将基材层侧的离子强度值的变异系数的绝对值在5%以内的区域A1中的平均离子强度表示为ICA1， 在C-的离子强度曲线中，将相对于区域A1在无机薄膜层的表面侧最接近区域A1且离子强度为ICA1的0.5倍以下的深度记为A2，将相对于A2在无机薄膜层的表面侧最接近A2且具有最小值的深度记为A3， 将相对于A3在无机薄膜层的表面侧最接近A3且差分值为0以上的深度设为B，将相对于A3在基材层侧最接近A3且差分值的最大值d(IC)max的深度设为C， 在C-的离子强度的一阶微分曲线中，将相对于C在基材层侧最接近C且微分值的绝对值为D(IC)max的0.01倍以下的深度记为D。 |
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