| 用于具有金属源极和漏极的量子点阵列器件的阈值调节 |
| US17574329 2022-1-12 发明申请 |
| 2022-5-5 |
| 将金属量子点(例如，溴化银(AgBr)膜)并入MOSFET的源极区和漏极区可以有助于通过调谐阈值电压来控制晶体管的性能。 如果溴化银薄膜富含溴原子，则沉积阴离子量子点，改变AgBr能隙，从而提高Vt。 如果溴化银膜富含银原子，则沉积阳离子量子点，改变AgBr能隙，从而降低Vt。 不同尺寸的中性量子点的原子层沉积(ALD)也改变Vt。 在薄膜沉积过程中使用质谱仪可以有助于改变量子点薄膜的组成。 金属量子点可并入离子掺杂的源极区和漏极区。 或者，金属量子点可以并入外延掺杂的源极和漏极区域中。 |
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