| 金属源漏量子点阵列器件的阈值调节 |
| US16025982 2018-7-2 发明申请 |
| 2018-11-15 |
| 将金属量子点(例如，溴化银(AgBr)膜)结合到MOSFET的源极和漏极区域中可以通过调谐阈值电压来帮助控制晶体管性能。 如果溴化银膜富含溴原子，则沉积阴离子量子点，并改变AgBr能隙以增加Vt。 如果溴化银膜富含银原子，则沉积阳离子量子点，并改变AgBr能隙以降低Vt。 不同尺寸的中性量子点的原子层沉积(ALD)也不同。 在成膜期间使用质谱仪可以帮助改变量子点膜的组成。 金属量子点可以掺入离子掺杂的源区和漏区。 或者，可以将金属量子点结合到外延掺杂的源极和漏极区域中。 |
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