| 一种离子探测器及其制备方法 |
| CN201910574230.1 2019-6-28 发明申请 |
| 2019-11-26 |
| 本发明属于离子检测技术领域，尤其涉及一种离子探测器，包括硅衬底(1)，依次形成在硅衬底(1)上的基础绝缘层(7)、第一复合层和第二复合层；还包括第一阳极(4?1)、第二阳极(4?2)，第一阴极(5?1)、第二阴极(5?2)；其中，复合层由多晶硅层(3)及其上方的绝缘层(2)构成，第一复合层中的绝缘层和/或多晶硅层在远离衬底的一面的中间区域具有凹陷，所述凹陷的深度小于所述凹陷所在的绝缘层或多晶硅层的厚度；第一复合层以及第二复合层的宽度随着远离硅衬底依次减小。本发明的离子探测器，从而不仅实现离子能量检测的高分辨，也能够克服离子探测器在制备过程中遇到的“过蚀刻”和/或“接触不良”的技术问题。 |
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