| 一种带MOS开关的辐射离子探测器器件结构 |
| CN202011236857.5 2020-11-9 发明申请 |
| 2021-2-12 |
| 一种新型的辐照离子探测器器件结构，涉及微电子技术和半导体技术。本发明是一种基于体硅增强型NMOS，并通过STI浅槽隔离在P衬底的有源区沟道之间增加一个辐照敏感区，该区域主要是由SiO2组成，当MOS位于工作状态且辐照总剂量较大时，在SiO2辐照敏感区感生出电子，从而形成漏源之间的漏电通道，以此来实现检测辐照的目的。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种带MOS开关的辐射离子探测器器件结构，通过计算器件的漏极电流Id，从而测量外界辐照总剂量的大小及外界的辐照影响。 |
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