| 一种基于MEMS工艺的线性离子阱 |
| CN201921990708.0 2019-11-18 实用新型 |
| 2020-7-28 |
| 本实用新型提供了一种基于MEMS工艺的线性离子阱，所述的线性离子阱采用玻璃?硅?玻璃三层键合结构，由两个玻璃内表面生长的金属电极与中间的硅电极共同围成离子阱的前端盖电极、主射频分析区与后端盖电极，其中硅电极采用双面湿法腐蚀工艺形成三角形的Y方向电极，金属电极采用蒸发或溅射的方式形成平面的X方向电极。湿法腐蚀工艺便于形成各种深宽比的硅电极结构进而调节主射频分析区的多极场分布，满足不同应用；而且其制备工艺流程简单，成品率高、键合工艺强度大，长期稳定性好，在微型质谱仪分析检测领域有着广泛的应用前景。 |
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