| 离子光学元件的设计方法及质谱仪 |
| WOJP17026610 2017-7-24 发明申请 |
| 2019-1-31 |
| 在本发明中，线型离子阱(3)中的四个棒电极(3a～3d)的形状和配置偏离仅形成四极电场的理想状态。 以如下方式执行偏移 : 八极电场强度与四极电场强度之比和十二极电场强度与四极电场强度之比具有彼此不同的极性，其绝对值为0.005或更大； 八极电场强度与十二极电场强度之比的绝对值在0.6和4之间。 当四极电场与八极电场叠加并进一步与极性与八极电场相反的十二极电场叠加时， 共振曲线中的峰值偏移被抵消，产生在高频和低频都具有尖锐边缘的峰值。 在满足这些条件的情况下，该线性型离子阱能够实现高离子俘获效率和高离子分离能力。 |
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