| 用电子束扫描电子显微镜以非破坏性方式对先进半导体器件中特征的高分辨率三维轮廓测量 |
| CN202010446578.5 2020-5-22 发明申请 |
| 2020-11-24 |
| 使用当SEM的电子束撞击到包括3D特征的选定区域时模拟所述3D特征内的电势分布的模型获得多个能量过滤器值。通过分析模拟的所述电势分布，提取所述多个能量过滤器值与所述3D特征沿纵向方向的相应深度之间的对应性。获得所述3D特征的与所述多个能量过滤器值对应的多个SEM图像。基于所提取的在所述多个能量过滤器值与相应深度之间的对应性，将所述多个SEM图像与它们的相应深度相关联。根据从所述3D特征的各种深度获得的多个SEM图像，生成所述3D特征的复合3D轮廓。 |
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