| 离子注入装置和半导体器件的制造方法 |
| JP2017243680 2017-12-20 发明申请 |
| 2019-7-4 |
| [问题]实现离子注入的高精度。 [溶液]离子注入机100是， 离子源101， 从离子源中提取的离子与通过离子质量分析器105的离子的所需电荷-质量比， 所述法拉第杯的内表面设有多个不同位置的充电传感器121, 132, 133，将离子束注入半导体晶片111, 150, 128的条件提供给控制器。 控制器128，传感器检测值基于多个带电132, 133之间的差值来调整植入条件。 图1[附图] |
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