| 一种去除硅片表面二氧化硅膜的装置及方法 |
| CN201910104680.4 2019-2-1 发明申请 |
| 2019-5-31 |
| 本发明提供了一种去除硅片表面二氧化硅膜的装置及方法，属于半导体测试设备领域，包括氢氟酸溶剂瓶、混合气体箱、雾化器和反应箱，氢氟酸溶剂瓶通过第一管路与雾化器的进口连通，雾化器的出口设在混合气体箱内部且二者密封设置，氢氟酸溶剂瓶的上端设有与其内部连通的进气管，进气管与外部的氮气供应装置的连通，进气管通过第二管路与混合气体箱连通，混合气体箱通过第三管路与反应箱连通，第三管路上设有混合气开关，反应箱上设有出气口。本发明可避免去除二氧化硅膜时沾污硅片本身，同时可使用电感耦合等离子质谱仪对SiO2膜内金属离子进行定量分析，对背封工艺工序进行有效的金属监控。 |
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