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钨的烧结体溅射靶和形成钨膜使用所述靶

WOJP13078833 2013-10-24 发明申请

2014-5-8

一种钨的烧结体溅射靶，其特征在于在所述钼强度检测用一种二次离子质谱仪(D-的SIMS)。为等于或小于1\/10000的钨强度。本发明的地址，该降低的问题钼在钨烧结体溅射靶和W粉的颗粒尺寸分布的调节用于烧结过程中，从而降低该钨膜的电阻率使用钨的烧结体的溅射靶。