| 一种基于MEMS工艺的多层结构矩形离子阱及其制备方法 |
| CN201610537862.7 2016-7-8 发明申请 |
| 2016-10-12 |
| 一种基于MEMS工艺的多层结构矩形离子阱及其制备方法，所述的矩形离子阱包括上玻璃层、下玻璃层、生长在上玻璃层下表面的上电极层、生长在下玻璃层上表面的下电极层，以及键合在上玻璃层下表面和下玻璃层上表面之间的硅层，构成玻璃 金属 硅 金属 玻璃的多层键合结构，其中上电极层、硅层和下电极层围成离子流通道；离子流通道沿离子流方向依次为离子聚焦区和离子分析区。本发明采用MEMS工艺, 耗能低、加工精度高、成品率高、键合强度大，长期稳定性好，且矩形离子阱具有体积小、重量轻等优点；在微型质谱仪分析检测领域有着广泛的应用前景。 |
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