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系统，用于刻蚀控制方法和装置

WOUS16040681 2016-7-1 发明申请

2018-1-4

化学同位素富集层材料能够描绘半导体工艺中的材料之间的边界。在蚀刻过程中，通过化学反应层移除这些边界，从而提高挥发性反应产物。利用质谱仪连接到所述蚀刻室中的同位素标记的化合物的浓度，反应产物，该系统能确定已经达到所需的蚀刻深度并终止该蚀刻工艺。