| 高-Q脉冲离子阱中的分段 |
| WOUS05032762 2005-9-12 发明申请 |
| 2006-3-23 |
| 一种离子阱(104)用于一质量光谱仪包括一个RF陷入电压源(112)用于施加一个RF陷入多个电极的电压到至少一个的(102，106，110)的所述离子阱(104)到阱该离子阱中离子的至少一个部分(104); 一个谐振激励电压源(114)用于施加一个谐振激励电压脉冲到所述电极(102，106，110)。以使至少一部分一种selectred设定的离子以经受碰撞和断裂成离子的片段; 和一计算机(116)用于控制所述RF陷入电压源(112)，以减少所述RF捕获后的电压一个预定的延迟周期之后终止所述共振的激励电压脉冲到一个第二的振幅用于保持一个低质量离子片段在所述离子阱(104)用于以后分析。 |
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