| 一种硅的损伤层透射电镜原位纳米压痕方法 |
| WOCN19077962 2019-3-13 发明申请 |
| 2020-8-27 |
| 一种硅的损伤层透射电镜原位纳米压痕方法，属于透射电镜原位纳米力学测试领域。采用湿法刻蚀与离子束刻蚀方法制备出楔形硅样品；利用聚焦离子束对刻蚀出的楔形硅进行减薄和修整，减薄采用离子束束流为30kV：50-80nA，修整采用离子束束流为5kV：1-6pA，使楔形硅顶部宽度为80-100nm。用导电银胶将样品固定在透射电镜原位纳米力学系统的样品座上，在透射电镜中用压针对样品进行压痕，使样品损伤层厚度为2-200nm；在透射电镜中对样品的损伤层进行原位纳米压痕实验。该方法实现了硅的损伤层透射电镜原位纳米压痕实验，并且能够进行原子尺度表征。 |
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