| 蚀刻气体和干法刻蚀方法 |
| JP2015223569 2015-11-16 发明申请 |
| 2017-5-25 |
| 本发明为[要]，六氟丙烯再使用干蚀刻，掩模蚀刻所述硅基材料提高。[解决方法]一种在半导体衬底上形成的氧化硅，氮化硅，氮氧化硅和硅基材料从所组成的组中选择的至少1物质，所述硅基材料上形成抗蚀剂图形作为掩模，刻蚀所述开口具有一个特定波长，所述刻蚀气体，纯化从六氟丙烯的质量纯度为超过99.5%，此外，所述刻蚀气体，用电感耦合等离子体质谱仪测定Fe，镍，Cr，每个金属组分的质量之和的500Al，Sb是10ppb或更低的浓度使用蚀刻气体。图[图1] |
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