| 高纯铜溅射靶材 |
| JP2015200109 2015-10-8 发明申请 |
| 2017-4-13 |
| [A]能够抑制高电压，即使负载发生异常放电，高纯铜溅射靶材可以稳定地形成。[解决方案]O，H，N，除了99.99998质量%以上的纯度。Cu，Al含量0.005质量ppm以下，Si的含量低于0.05质量ppm，Fe含量低于0.02质量ppm，S0.03质量ppm以下，Cl含量为0.1质量ppm以下，O含量低于1质量ppm，H含量低于1质量ppm，N含量低于1质量ppm，C含量小于1质量ppm，热解吸仪气体分析仪(TDS-OFDM MS)，直到排出的气体成分从50℃~1000℃，电子轰击离子化的方法，离子产生成分分析得到的气体释放的分子总数的四极质量光谱仪5×1017/克或以下。[图]NO |
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