串联四极型质量分析装置
 
CN201510337328.7  2012-11-22  发明申请

2015-10-14
 
  在控制部(50)的处理条件参数存储部(51)设置表示碰撞池(31)内的CID气压和用于收集数据的驻留时间之间的对应关系的驻留时间算出表(51a)。在该表(51a),CID气压越高驻留时间越长。一旦指示实施MRM测定模式,控制部(50)就会根据此时的CID气压决定驻留时间,并以如下方式控制数据收集部(41),即:在该驻留时间期间,积算来自离子检测器(34)的检测信号并求出积算值。如果碰撞池(31)的CID气压较高,则离子的速度下降变得显著,离子强度的上升变得缓慢,但是如果驻留时间变长,则对积算值的缓慢的上升的影响会相对减轻,积算值的精度上升。由此,能够提高定量精度。
 
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