| 离子注入方法和装置通过进入静电离子阱 |
| GB1507653 2015-5-5 发明申请 |
| 2016-11-9 |
| 一种静电阱进行离子注入的方法(60)包括喷射离子从离子存储器20(例如离子阱)的下游离子导向器30，加速静电阱的离子从离子导入优选的延迟之后。静电阱可以是诸如轨道阱之类的静电阱(Tm)的轨道或kingdon捕集器。优选地，利用直流电压加速后的离子束中的离子导向器和脉冲使得它们聚焦在焦点在静电阱。离子导向器可以是RF线性离子导向器(图1)。或者，离子导向器可以是螺旋或螺线形轨迹的离子导向装置(图2-4)，其中所述离子被加速离子的释放方向垂直于从离子存储和质量分离的z方向平行的静电阱中。 |
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