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钨烧结体溅射靶及使用该靶形成的钨膜

SG11201408622W 2013-10-24 发明授权

2016-6-2

一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，使用二次离子质谱仪(D-SIMS)检测的钼强度为钨强度的1/10000以下。本发明的课题在于，降低钨烧结体溅射靶中的钼，调整烧结时使用的W粉的粒径分布，从而降低使用该钨烧结体靶溅射的钨膜的电阻率。