| 二次离子质谱分析系统和方法，和程序 |
| JP2013123998 2013-6-12 发明申请 |
| 2014-12-25 |
| 要解决的问题 : 在深度方向的SIMS分析样品，在样品的测量过程暴露于底壁中形成的火山口部分杂质原子的焊口散射提供一种用于防止再粘连的技术。方法：样品1的表面照射一次离子，样品表面发出的1检测到的二次离子，该材料组合物的样品1测量时，在初级离子照射范围，只有中央部分23和第二一次离子辐照的1，只有中央部分23的外圆周部分24的第一主离子辐照和2时，单独执行，不第一检测二次离子辐照的步骤2，无需检测第一二次离子辐照和步骤1，1第一的二次离子辐照进行检测和处理，无需进一步从第一系列的二次离子进行检测的步骤2和执行处理。选择绘制 : 图。11 |
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