| 设备和方法用于冷却离子 |
| WOCA08000094 2008-1-18 发明申请 |
| 2008-7-24 |
| 一种装置用于二次离子质谱法是提供具有所述目标上的一个目标表面用于支撑样品表面和一初级离子的离子源配置成直接一束朝向所述样品与溅射二次离子和中性粒子从所述样品，第第一室具有一入口提供气体以保持高的压力在所述样品用于冷却所述二次离子和中性粒子，所述高约10-3的压力被在该范围，以大约1000乇。一个二次离子质谱的方法是提供具有一目标表面用于支撑一样品，将初级的离子束朝向所述样品与溅射二次离子和中性粒子从所述样品，并提供一种高的压力在所述样品用于冷却所述二次离子和中性粒子，所述高压力被在该范围约10-3到大约1000乇的。 |
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