激光诱导硅微柱阵列的激光解吸电离和肽序列测定
 
US11674671  2007-2-14  发明申请

2009-12-31
 
  本发明提供了一种制造激光图案化硅表面的方法,特别是用于激光解吸电离(LDI-MS)的硅晶片(包括MALDI-MS和SELDI-MS),包含该表面的器件,以及使用该表面的测试样品的方法。 通过在处理环境(例如水下)中使硅衬底经受来自高功率皮秒或飞秒激光器的多个激光照射来制备表面,并且产生能够为LDI-MS提供改进的衬底的显著均匀的微柱阵列。
 
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