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半导体处理方法及系统

US11371935 2006-3-10 发明申请

2006-11-16

由二次电子/二次离子检测器检测由电子束产生的二次电子图像，同时由聚焦离子束从半导体芯片的背面蚀刻硅衬底。假定由图像图像处理系统检测电子束透过硅衬底的时间点，分离层，多晶硅层等的二次电子图像的对比度为处理终点。此时，通过改变电子束的加速电压的设置，可以获得任意的剩余硅厚度。