| 碎片离子的产生和测量方法，用于离子阱质谱仪，包括abjecting存储器上的高频电压的幅度允许对存储小离子，其中用于存储容量限制尺寸是成比例的电压 |
| DE102005025497 2005-6-3 发明申请 |
| 2006-12-7 |
| 本发明涉及用于该片段中的离子光谱的测量过程离子阱质谱仪，在其片段离子不能被正常下面的测量尺寸的限制。本发明也由测量的光碎片离子作为所述冲击分片，其被引起总是由多个在冲击，是由在时间上简单地说在一高存储器的高频率的张力，与多个待产生的高能冲击比当传统的分片，根据其快到一个低的高频率上的一个变化的张力。从而也光碎片离子的结果从双断点。由于该尺寸用于所述的存储能力的限制，以所述存储器的高频率成比例的张力是，还所述该离子阱中的光碎片离子可以被保持和通过所述降低所述存储器的高频率测量张力。 |
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