| 单片微工程质量光谱仪 |
| WOEP03008354 2003-7-29 发明申请 |
| 2004-2-12 |
| 一种方法构建的一种微工程质量光谱仪从(bsoi)晶片键合硅-绝缘体上是描述与参考一种四极光谱仪。所述四极的几何形状是使用两个bsoi实现晶片(200)，其被结合在一起以形成一单片块(410)。深蚀刻所述外硅层中形成特征和弹簧被用于定位的圆柱形金属电极杆(300)。所述所述组件是由一的组合确定的精度光刻和深蚀刻，和通过所述机械定义所述键合的硅层。深蚀刻所述内硅层中形成的特征被用于限定离子的入口和离子收集光学器件。其它特征，如流体通道可以被并入。 |
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