| 半导体激光受激原子的探针表征和介电结构 |
| WOUS04021291 2004-7-1 发明申请 |
| 2005-1-13 |
| 一激光受激原子探针用于原子探针本发明公开了一种半导体材料的介电和低电导率成像。所述激光受激原子探针包括一个常规的原子探针提供一种场发射尖端和离子检测器装置; 一激光系统提供一激光短激光脉冲和同步的电子定时信号到所述原子探针，和一个光学系统用于传送所述激光束到所述场发射尖端的顶点。该传统的原子探针是采用一种类似的方式中，以使用于调查的高导电率的材料。不过，所述电场是保持静态而所述激光器是脉冲，以提供所述离子发射的脉冲速率。所述激光pulsingis完成一类似的方式与现有实施例中的脉冲激光原子探针光谱。所述激光脉冲提供一触发信号，以使所述原子中记录该时间飞行的探针。所述激光器工作在波长在所述UV中，以便增强所述的光学吸收在半导体或介电的场致发射尖端。所增加的光吸收允许高效的热泵浦所述领域的蒸发速率。所述尖端的顶点侧还用于redshift所述的光吸收谱所述下介电或半导体材料调查，进一步增强所述的光学吸收。由于该增强吸收，它是还可能实现一种光电离机构，其中所述激光激励从所述多个扩展的电子跃迁表面原子，从而电离所述表面原子。所述激光源是由一个准直透镜准直的，使用介电反射镜反射，引导到所述样品的尖端使用一个聚焦透镜装置，收集从所述尖端使用一收集透镜，并被导入一束停止。所述激光束焦点处的直径是大约3-30微米，因此，从一个单独的发射尖端可以被扫描尖端的场通过所述激光脉冲照射。 |
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