| blankmask和制造方法，其 |
| KR1020060077414 2006-8-17 发明申请 |
| 2007-10-2 |
| 目的 : 一空白掩模和一制造方法，其被提供到该状态中的一个表面处理状态进行分析一种抗蚀剂层和以最小化的分析误差通过进行SIMS(二次离子质谱仪)处理。结构 : 一个光屏蔽层和一抗反射层依次形成一透明基板上。该抗反射层的表面被处理通过一种有机材料包括硅。一种化学放大抗蚀剂层被形成在所述表面-处理的抗反射层。一种表面处理分析过程被执行以检测所述硅和分析一种表面处理状态通过进行一SIMS过程用于所述化学放大抗蚀剂层之间的边界和所述抗反射层。一种相移层是形成所述透明基板和所述光屏蔽层之间。kipo2007 |
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