| 离子注入设备 |
| KR1020060018460 2006-2-24 发明申请 |
| 2007-8-29 |
| 目的 : 离子注入设备被提供以高的密度植入一离子束电流到一晶片而不通过进行一离子注入该晶片上，而不损失所使用的一种质量分析仪和一个束线。结构 : 离子注入设备包括一个电弧室(120)用于提供一种离子形成空间，一支撑件(140)，用于支撑所述电弧室的上部分中的一晶片，一等离子体室，一个或多个细丝，和多个取款的电极。所述等离子体室(124)被形成在一内的下部分所述电弧室。所述的等离子体室被间隔开的从所述支撑部件，所述等离子体室被用于改变引入的气体为等离子体。所述灯丝(132)被安装在所述等离子体室，以激发所引入的气体。所述抽出电极(138)被安装在一预定的相邻的部分到所述等离子体室的出口。所述取款电极具有多个通过孔用于导引离子到晶片的方向。一种静电卡盘使用的是作为所述支撑件。kipo2007 |
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