| 设备和工艺用于制造半导体 |
| JP2005221657 2005-7-29 发明申请 |
| 2007-2-15 |
| 要解决的问题 : 沉积一非常薄的膜具有高可靠性通过升华的SiO最佳地控制在热处理，E。G。退火，一种含有一氧化硅绝缘膜从而抑制的所述膜上的损伤。溶液 : 一个用于退火过程中的一种绝缘膜，E。G。一氧化硅膜(SiO2)或一氮氧化膜(SiON)，沉积在一处理室6的气氛中引入惰性的气体2从一第一质量流量控制器3通过一气体引入口7，SiO升华从所述所述处理室6中所述绝缘膜的表面是通过装置的一质量光谱仪测量10。氧气体4的量引入到所述处理室6是从一个控制器1控制通过一个第二质量流量控制器5，使得所述SiO2的浓度没有达到一固定电平从而控制升华SiO2的有效。一种高度可靠的绝缘膜具有良好的特性可以由此被所述膜上形成，同时防止损伤由于以升华的SiO2。版权 : (C)2007，inpit |
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