| 离子注入机，离子注入方法，和半导体装置的制造方法 |
| JP2005176414 2005-6-16 发明申请 |
| 2006-12-28 |
| 要解决的问题 : 以提高在-平面分布的均匀性的离子量注入到晶片表面。溶液 : 在幅度调制一个在一抽出的抽出电压的电压调制部12a，离子被拉出从一个离子源1，和从所述离子源引出离子束1被驱动到晶片W通过这种; 而展宽一束直径，注入能量成为能够具有一些纬度。由于这个，所述的杂质浓度分布可以由更少的陡在该深度方向，和所述的均匀性所述平面中的分布可以被改进。在另一实施例中，同时调制一个电磁场加入到一质谱仪3，该离子注入进行进行。此外，在另一实施例中，同时幅度调制的加速电压加到加速管6，该离子注入进行进行。版权 : (C)2007，inpit |
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