| 离子注入装置和方法用于制造半导体装置。 |
| JP2003386785 2003-11-17 发明申请 |
| 2005-6-9 |
| 要解决的问题 : 以提供一种离子注入装置注入离子，同时控制得到的从沟道效应的影响用于每个衬底到被处理通过测量一种用于每个衬底表面方向。溶液 : 该离子注入装置注入杂质离子注入到硅晶片2具有一个台板1支撑该晶片2，一测角仪移动所述台板1，一种X-射线照射机构3的X-射线照射到所述晶片2的支持所述台板1，和一闪烁计数器6检测一反射X-射线5，它是一种X-射线4照射从该机构3和反射从所述晶片2。所述离子注入装置还具有 : 一离子源7电离掺杂气体; 一质量分析器8提取所述掺杂离子被注入到所述离子化的掺杂离子之间的晶片2; 一个加速管9加速该提取的杂质离子; 和一透镜10形成所述加速杂质离子在一期望的波束形状。 |
微信公众号