| 等离子体刻蚀电极 |
| JP2004335868 2004-11-19 发明申请 |
| 2005-5-19 |
| 要解决的问题 : 以提供一等离子体蚀刻装置，其可以显著地降低所述所生产的成品率立即所使用的一种新的等离子体刻蚀后电极具有启动，并提供一种评估方法，其可选择准确地所述的等离子体刻蚀电极，它可以防止金属污染的硅晶片，以提高产量的所述一种半导体集成电路的生产，和特别是能够以显著地降低所述所生产的成品率，后立即所述使用所述新的等离子体刻蚀的电极具有启动。溶液 : 所述的等离子体刻蚀电极6被形成为一种结构，其中一个部分，它是消耗与等离子体由一玻璃状碳的含Fe与1A×103a的计数或更少的浓度为通过二次离子质谱法测得的。所述等离子体刻蚀电极是评价所述的方法，使得所述评估该等离子体蚀刻装置的具有所述的等离子体刻蚀电极6和所述的等离子体刻蚀制成的所述玻碳电极，是由通过测量所述Fe浓度由所述二次离子质谱分析。 |
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