| 离子注入装置的制造方法和离子束发射测量仪器，和半导体装置。 |
| JP2003286702 2003-8-5 发明申请 |
| 2005-3-3 |
| 要解决的问题 : 以提供一种制造一半导体装置的一离子注入装置和方法在其所述离子束的质量在运输所述的方式可以研究和评估和一种精巧的变化该产品性能可以被抑制。溶液 : 该离子注入装置101包括一个离子源11产生和IB中提取离子束，一质量光谱仪12具有一磁体，一个离子束的会聚部，例如一个静电透镜和Q透镜(四极透镜); 和一个离子束发射度测量机构15所述离子源11之间和所述质量光谱仪121，优选地在所述静电透镜141的后级。所述离子束发射度测量机构15包括一个离子束发射测量仪器151，其被插入到所述通道的离子束，即，在一个束线在所述测量的时间，和被控制，从而作为待该束线的外侧在所述时间测量以外，和可以检查至少发散离子束的程度。 |
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