| 方法和装置，用于监控真空条件 |
| JP2003115365 2003-4-21 发明申请 |
| 2004-11-11 |
| 要解决的问题 : 以准确和容易地掌握在所述的真空装置内污染情况。溶液 : 残余气体被改变的结构与所述经过抽真空排气和烘烤处理的进程中。离子的不饱和的程度是基于发现一种获得质谱，和所述被集成的强度在每不饱和的程度，以找到一个不饱和程度的直方图。由于所述不饱和程度的直方图是响应于所述进程中改变所述烘烤处理，所述的质量残余气体通过计算和比较在所述不饱和程度被抓住的直方图，所述烘烤和一个进程的情况与其一起被抓住的处理。一烘烤处理条件用于该真空装置被准确地设置，以达到一个高真空度在一由此短周期。 |
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