| 离子注入方法及半导体装置的制造方法 |
| JP2003280939 2003-7-28 发明申请 |
| 2004-3-25 |
| 要解决的问题 : 以提供一种制造一半导体装置的方法能够容易地制备一个浅的p-型一种IV族半导体衬底上的杂质掺杂区域与关于一种浅离子植入的硼的方法为IV族半导体。溶液 : 所述的方法制造该半导体装置具有一工艺，其中，一种固体癸硼烷(b10h14)被汽化，一过程其中一种气态癸硼烷离子化的分子是由电子照射，以除去所述含B的原子speices9或更小，而不进行质谱，一个过程，其中所述离子化的癸硼烷是含有注入到硅晶片N-型硅区域至少在其所述表面区域，和一个由激活过程，其中PN接合形成退火。所述固体癸硼烷可以通过一个真空气氛下或加热蒸发。有限的癸硼烷-导出speices可以通过所述的电子照射产生的。 |
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