| 布拉格光栅芯片 |
| CN202011350444.X 2020-11-26 发明申请 |
| 2021-2-9 |
| 本发明涉及一种布拉格光栅芯片，其包括单晶硅基板、设置在单晶硅基板上的二氧化硅层、设置在二氧化硅层上的布拉格光栅、以及设置在布拉格光栅上的负热光系数材料，布拉格光栅上设置负热光系数材料，以此消除基于铌酸锂晶体的布拉格光栅对温度的敏感性，使得布拉格光栅芯片的反射谱中心波长在环境温度变化1k的漂移量基本为零，从而可实现由铌酸锂布拉格光栅构成的光滤波器、激光器等光电器件的光谱响应对温度变化不敏感。 |
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