| 一种基于中子辐照和离子注入晶体的大范围测温方法 |
| CN202311462473.9 2023-11-6 发明申请 |
| 2024-1-16 |
| 本发明属于测温技术领域，具体提供一种基于中子辐照和离子注入晶体的大范围测温方法，用以实现600℃～1800℃的大范围温度测量。本发明首先对碳化硅晶体进行离子注入，得到晶格损伤后的碳化硅；然后对碳化硅单晶进行中子辐照，引入不同的缺陷以及位错，得到辐照后的碳化硅；最后对碳化硅晶体在不同退火温度下进行退火处理，退火后采用拉曼光谱仪获取所述退火碳化硅晶体的拉曼图谱、采用X射线衍射获取所述碳化硅晶体的衍射峰位以及衍射半高宽，建立温度判读数据库。本发明基于中子辐照与离子注入引入缺陷回复的驱动力不同，将二者进行有效结合，实现600～1800℃的大范围温度测量，且具有测量精度高、速度快且无损伤的特点。 |
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