| 超辐射发光二极管及其制作方法 |
| CN202311236977.9 2023-9-22 发明申请 |
| 2024-1-9 |
| 本申请提供了一种超辐射发光二极管及其制作方法，包括衬底层、波导层、多量子阱有源层和对接生长层，波导层设置在衬底层的第一方向侧，多量子阱有源层和对接生长层设置在波导层的第一方向侧，对接生长层设置在多量子阱有源层沿超辐射发光二极管的出光方向上，以使光场在传输时被引导至超辐射发光二极管的多量子阱有源层靠近衬底层的一侧，能够使得对接生长层与波导层相配合，将光场在传输时被引导至多量子阱有源层靠近衬底层的一侧，增强芯片的抗反射能力，可以获得大功率、小光谱调制的光源，还能减小光斑的垂直远场发散角，得到一个更接近圆形的输出光斑，有利于与光纤进行耦合，提高出纤功率。 |
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