| 用于测量高深宽比结构的中红外光谱 |
| WOUS20014677 2020-1-23 发明申请 |
| 2020-8-6 |
| 本文提供了用于在中红外波长下执行半导体结构的高通量光谱测量的方法和系统。 一种傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪，包括一个或多个跨越2.5微米和12微米之间的波长范围的测量通道。 FTIR光谱仪在多个不同入射角，方位角，不同波长范围，不同偏振态或其任意组合下测量目标。 在一些实施例中，照明光由激光维持等离子体(LSP)光源提供，以实现高亮度和小照明光斑尺寸。 在一些实施例中，FTIR测量从垂直于晶片表面的方向离轴进行。 在一些实施例中，斯特林冷却器从FTIR光谱仪的检测器提取热量。 另一方面，由一个或多个光谱仪测量通道执行的测量与由中红外FTIR光谱仪通道执行的测量相结合，以表征高纵横比结构。 |
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