| 一种电子束球面光栅的曝光写场拼接方法 |
| CN202311068859.1 2023-8-24 发明申请 |
| 2023-11-21 |
| 本发明公开了一种电子束球面光栅的曝光写场拼接方法，拼接过程包括：写场尺寸的计算；球面光栅写场拼接间距的计算；球面参考点聚焦，局部曝光；写场拼接误差的识别；写场拼接误差的调整控制；球面光栅各区域写场图形一致性的修正补偿；全区域写场误差换算后电子束曝光；本发明提供的电子束球面光栅的曝光写场拼接方法，保证了球面光栅各区域写场拼接及图形的一致性，降低了电子束球面光栅表面粗糙度，避免了拼接误差导致的成像艾里斑次峰值的出现，保障了光谱仪器成像质量和光谱分辨率。 |
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