| 研磨装置和研磨方法 |
| KR1020220146744 2022-11-7 发明申请 |
| 2023-5-18 |
| 本发明的课题是提供一种研磨装置及研磨方法，该研磨装置及研磨方法能够在研磨工作件的过程中准确测量用于制造半导体设备的工作件的膜厚度。处理系统，配置为基于以下算式算出的相对反照率数据确定工作件的膜厚度。相对反射率数据=MD1/[BD1·k]。其中，MD1是表示由第一光谱仪(27)测量的来自工作件(W)的反射光强度的第一强度测量数据，BD1是第一基强度数据，k是第二强度测量数据的，对第二基强度数据的变化率，该数据表示在工作件(W)的研磨中由第二光谱仪(28)测量的光源的光强度。 |
微信公众号