| 一种高功率、窄线宽InP集成半导体激光器 |
| CN202223202597.7 2022-11-30 实用新型 |
| 2023-3-14 |
| 本实用新型提出了一种高功率、窄线宽InP集成半导体激光器，涉及半导体激光器的技术领域，用以解决DFB和DBR结构中布拉格光栅制备工艺难度大的技术问题。所述半导体激光器包括自下到上依次设置的下电极、衬底、下限制层、有源层和上限制层，所述上限制层上刻蚀有布拉格光栅和长条形的电流注入层，所述布拉格光栅位于电流注入层两侧，布拉格光栅与电流注入层垂直，电流注入层与两侧的布拉格光栅之间设有隔离槽。本发明所述半导体激光器采用侧向深刻蚀表面替代原来的DFB和DBR结构，避免了二次外延和高精度对接套刻工艺。使得光谱特性与光束质量差的宽条形高功率F?P腔结构的半导体激光器也能够实现窄线宽、高光束质量输出。 |
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