| 基于表面场调制效应的半导体振荡器的脉冲太赫兹光谱仪 |
| RU2022116206 2022-6-16 发明授权 |
| 2023-2-6 |
| 领域：光谱测量。 物质：发明涉及光谱测量领域，并涉及基于表面场调制效应的具有半导体发生器的脉冲太赫兹光谱仪。 该光谱仪包含脉冲激光器、分束元件、产生单元、光学延迟线单元、太赫兹辐射传输系统、记录单元。 脉冲激光器光耦合到分束元件，该分束元件将激光辐射束分离成两束，其中一束提供给产生单元，第二束提供给光学延迟线单元。 所述发生单元与所述太赫兹辐射传输系统光连接。 配准单元与光学延迟线的受控单元和太赫兹辐射传输系统光学连接。 产生块被制成金属-电介质-半导体结构的形式，这使得可以调制近表面场的强度。 此外，所述配准单元用于对所述太赫兹电磁场的强度进行配准。 效果：提高信噪比，为在较宽的激光辐射波长范围内产生太赫兹辐射和将太赫兹辐射的光谱范围扩展到光谱的高频区提供了可能。 5 cl, 2 dwg |
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