| 辐射模式定制的半导体激光器 |
| US17807131 2022-6-15 发明申请 |
| 2022-12-22 |
| 本公开涉及支持用于高功率操作的宽单横向模操作的指数引导半导体激光装置。 提出了一种窄通道脊形波导结构，其装置可以被配置为单侧多光谱高功率半导体激光器、单频激光器、增益芯片和半导体放大器。 更具体地，本发明涉及一种用于增加横向模尺寸超过常规折射率引导结构的横向模尺寸的装置，以增加平均输出功率，所述平均输出功率通常受到激光端面处的灾难性光学损伤(COD)或强度相关效应的限制。 这潜在地允许对于给定的输出功率电平缩短整个激光腔长度，以稳定利用内部或外部光栅的频率锁定，从而改善单频操作。 |
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